К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2010

pSi-n(Si2)1-x(CdS)x, nSi-p(Si2)1-x-y(Ge2)x(GaAs)y Гетероструктураларни олиш ва уларнинг электофизик ҳамда фотоэлектрик хоссалари

Холиқов Қ.

Диссертации и авторефераты · 2010

Аннотация

Тақдим этилаётган ишга қадар(Si2)1-x(CdS)x қаттиқ қоришмаси синтез қилинмаган ва ўрганилмаган. Айрим ишлар(Si2)1-x(GaAs)х қаттиқ қоришмани ўстириш ва ўрганишга бағишланган [5]. (Si2)1-x(GaAs)х эпитаксиал қатламлари Si тагликларда қалай ва галлий қоришма−қотишмаларидан ўстирилган. Бундай қаттиқ қоришмаларни тадқиқ қилиш бошланғич этапда турибди

Доказательный фрагмент

«Тақдим этилаётган ишга қадар(Si2)1-x(CdS)x қаттиқ қоришмаси синтез қилинмаган ва ўрганилмаган.»

Образец извлечения

Демо-превью

Тақдим этилаётган ишга қадар(Si2)1-x(CdS)x қаттиқ қоришмаси синтез қилинмаган ва ўрганилмаган. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники