РецензированоRU2019

Координатно-чувствительный детектор на основе гетеропереходных структур Al-aGe-pSi-Au

Ё.К.Тошмуродов · З.Бекназарова · А.К.Саймбетов · Ж.Х.Равшанов

Научные статьи · 2019

Аннотация

В этой работе приведены краткие сведения о путях модернизации основных детекторных материалов кремния и германия, особенности технологических этапов изготовления гетеропереходных полупроводниковых координатно-чувствительных детекторов на основе Al-aGe-pSi-Aструктур

Доказательный фрагмент

«В этой работе приведены краткие сведения о путях модернизации основных детекторных материалов кремния и германия, особенности технологических этапов изготовления гетеропереходных полупроводниковых координатно-чувствит…»

Образец извлечения

Демо-превью

В этой работе приведены краткие сведения о путях модернизации основных детекторных материалов кремния и германия, особенности технологических этапов изготовления гетеропереходных полупроводниковых координатно-чувствит… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан