К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2022

Влияние решеточных дефектов на электромиграционную неустойчивость границы соединенных проводящих материалов

Т. М. Махвиладзе · М. Е. Сарычев

Научные статьи · 2022

Аннотация

Развита модель, описываю щая влияние неравновесных кристаллических дефектов на кинетику неустойчивости формы границы (интерфейса) слоев соединенных проводящих материалов, возникающей в результате электромиграции ионов этих материалов. Механизм возникновения неустойчивости учитывает действие механических напряжений в системе, вклю чая напряжения, которые обусловлены разнородностью материалов подложки и осажденной на нее пленки

Доказательный фрагмент

«Развита модель, описываю щая влияние неравновесных кристаллических дефектов на кинетику неустойчивости формы границы (интерфейса) слоев соединенных проводящих материалов, возникающей в результате электромиграции ионов…»

Образец извлечения

Демо-превью

Развита модель, описываю щая влияние неравновесных кристаллических дефектов на кинетику неустойчивости формы границы (интерфейса) слоев соединенных проводящих материалов, возникающей в результате электромиграции ионов… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники