Схема детектирования электрона с помощью туннельного структуры из четырех квантовых точек с асимметрией параметров

Аннотация

Предложена схема измерения электронной заселенности полупроводниковой квантовой точки, позволяющая детектировать наличие электрона на расстоянии до 500 нм с пространственным разрешением до 10 нм. В качестве сенсорного элемента используется структура из четырех туннельно-связанных квантовых точек, которая находится в стационарном токовом режиме. Транспортные свойства системы зависят от параметров структуры, ее расстояния до измеряемой точки и от ее состояния.