К содержанию
РецензированоRU2021

Влияние -облучения на спектр глубокого уровня в кремнии, легированного примесями халъкогенидов (S,Se,Te)

Н.А. Султанов · М.М. Мадрахимов

Научные статьи · 2021

Аннотация

Целью данной работы было исследование влияние у- облучения на DLTS в диодах из кремния, легированного S, Se, Те.

Доказательный фрагмент

«Целью данной работы было исследование влияние у- облучения на DLTS в диодах из кремния, легированного S, Se, Те.»

Образец извлечения

Демо-превью

Целью данной работы было исследование влияние у- облучения на DLTS в диодах из кремния, легированного S, Se, Те. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники