Научные статьиM.H.Sayidova, S.U.Pulatova2025
Влияние -облучения на спектр глубокого уровня в кремнии, легированного примесями халъкогенидов (S,Se,Te)
Н.А. Султанов · М.М. Мадрахимов
Научные статьи · 2021
Аннотация
Целью данной работы было исследование влияние у- облучения на DLTS в диодах из кремния, легированного S, Se, Те.
Доказательный фрагмент
«Целью данной работы было исследование влияние у- облучения на DLTS в диодах из кремния, легированного S, Se, Те.»
Образец извлечения
Демо-превьюЦелью данной работы было исследование влияние у- облучения на DLTS в диодах из кремния, легированного S, Se, Те. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.
Смежные источники
Общество и инновацииKhosiyat MAMATKULOVA2024
Академические исследования в современной наукеKhudaiberdiyeva Arafat Israilovna, Ph.D Professor hudayberdiyevaarofat@gmail.com +12026
Научные статьиI.B.Yangiboyev, E.X.Berdanov +22025