К содержанию
РецензированоRU2021

О методике измерения давления насыщенного пара полупроводниковых материалов

К.Э. Онаркулов · К.И. Гойназарова

Научные статьи · 2021

Аннотация

Для измерений малых давлений насыщенного пара наибольшее распространение получили метод испарения с открытой поверхности Лангмюра и метод эффузий Кнудсена

Доказательный фрагмент

«Для измерений малых давлений насыщенного пара наибольшее распространение получили метод испарения с открытой поверхности Лангмюра и метод эффузий Кнудсена»

Образец извлечения

Демо-превью

Для измерений малых давлений насыщенного пара наибольшее распространение получили метод испарения с открытой поверхности Лангмюра и метод эффузий Кнудсена Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники