К содержанию
РецензированоRU2021

Влияние свч излучения на полупроводниковые приборные структуры

КА. Исмайлов · Р.В. Конакова

Научные статьи · 2021

Аннотация

В последнее время в создании полупроводниковых приборов широко используется широкозонные полупроводниковые материалы.

Доказательный фрагмент

«В последнее время в создании полупроводниковых приборов широко используется широкозонные полупроводниковые материалы.»

Образец извлечения

Демо-превью

В последнее время в создании полупроводниковых приборов широко используется широкозонные полупроводниковые материалы. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники