К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2021

Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе кремния с примесями Ni, Мп, Аи сжатии

Р.Х. Хамидов · О.О. Маматкаримов

Научные статьи · 2021

Аннотация

При изготовлении полупроводниковых приборов или структур, на основе кристаллического кремния, поверхность кристаллов находится в контакте с каким-либо другим веществом. Чаще всего это металл или другой полупроводник

Доказательный фрагмент

«При изготовлении полупроводниковых приборов или структур, на основе кристаллического кремния, поверхность кристаллов находится в контакте с каким-либо другим веществом.»

Образец извлечения

Демо-превью

При изготовлении полупроводниковых приборов или структур, на основе кристаллического кремния, поверхность кристаллов находится в контакте с каким-либо другим веществом. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники