РецензированоRU2021

Влияние структурных дефектов на свойства ЭП ZnTe/GaAs

М. Шарибаев · А. Уразбоева · Ш. Каландарова

Научные статьи · 2021

Аннотация

Доказательный фрагмент

«Известно, что при выращивании эпитаксиальных слоев (ЭС) полупроводников АгВб на подложках GaAs вблизи границы раздела образуется переходной слой с высокой плотностью дислокаций и других протяженных дефектов»

Образец извлечения

Демо-превью

Известно, что при выращивании эпитаксиальных слоев (ЭС) полупроводников АгВб на подложках GaAs вблизи границы раздела образуется переходной слой с высокой плотностью дислокаций и других протяженных дефектов Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан

Цитирований: 0
Тип: Журнал
Страна: Узбекистан

Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники

[1]ПедагогикаUZРецензированоОткрытый доступ

MAXSUS KIYIM MATERIALLARINING TERMO-FIZIK PARAMETRLARINI ANIQLOVCHI OMILLAR

Научные статьиM.H.Sayidova, S.U.Pulatova2025

[2]ПедагогикаRUРецензированоОткрытый доступ

Допустимость доказательств в уголовном процессе: анализ зарубежного опыта

Общество и инновацииKhosiyat MAMATKULOVA2024

doi.org/10.47689/2181-1415-vol5-iss7/S-pp220-228

[3]ПедагогикаENРецензированоОткрытый доступ

IMPROVING THE METHODOLOGY OF TEACHING NATURAL SCIENCES BASED ON INTERACTIVE TECHNOLOGIES (WITH FOCUS ON 7TH GRADE PHYSICS IN UZBEKISTAN)

Академические исследования в современной наукеKhudaiberdiyeva Arafat Israilovna, Ph.D Professor hudayberdiyevaarofat@gmail.com +12026

doi.org/10.5281/zenodo.15704717

[4]ПедагогикаRUРецензированоОткрытый доступ

MAYDA IFLOSLIKLARDAN TOZALASH JARAYONIDA KOLOSNIKLI PANJARADA РАХТА BOʻLAKCHALARINING HARAKATINI TAHLILI

Научные статьиI.B.Yangiboyev, E.X.Berdanov +22025