К содержанию
РецензированоEN2018

Study of the Influence of Implanted Atoms on the Coefficients of the Sputtering of Silicon and Silicon with a thin Oxide Film

D.A.Tashmukhamedova · M.B. Yusupjanova · G.Allayorova · B.E.Umirzakov

Научные статьи · 2018

Аннотация

The results of theoretical and experimental studies of the influence of Ba-atom implantation and the presence of an oxide film on the Si-surface sputtering coefficient under ion bombardment are presented

Доказательный фрагмент

«The results of theoretical and experimental studies of the influence of Ba-atom implantation and the presence of an oxide film on the Si-surface sputtering coefficient under ion bombardment are presented»

Образец извлечения

Демо-превью

The results of theoretical and experimental studies of the influence of Ba-atom implantation and the presence of an oxide film on the Si-surface sputtering coefficient under ion bombardment are presented Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники