К содержанию
РецензированоEN2018

Electronic Structure of Single-Crystal CaF2(111) with Nanoscale Phases of Ca and Si

Yokub Suvonovich Ergahov · Boltakhodja Ermatovich Umirzakov · Gulmira Khalmuratovna Allayarova

Научные статьи · 2018

Аннотация

The creation of electronic devices of new generation (microwave nanotransistors, ultra-large integrated circuits, optical resistors, solar cells, etc.) is mainly determined by the production of new materials (nanocrystals, nanofilms, nanomaterials) and nano-layered structures with desired physical properties

Доказательный фрагмент

«The creation of electronic devices of new generation (microwave nanotransistors, ultra-large integrated circuits, optical resistors, solar cells, etc.) is mainly determined by the production of new materials (nanocrys…»

Образец извлечения

Демо-превью

The creation of electronic devices of new generation (microwave nanotransistors, ultra-large integrated circuits, optical resistors, solar cells, etc.) is mainly determined by the production of new materials (nanocrys… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники