К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2006

Технология и свойства плёнок на основе GaAs.

Каримов А. В. · Мирджалилова М. А. · Ёдгорова Д. М.

Учебная литература · 2006

Аннотация

В учебном пособии на примере арсенида галлия рассмотрены вопросы: физики, разработки и технологии структур с полупроводниковыми и металлополупроводниковыми переходами, физические процессы в эпитаксиальных диодных, фотодетекгорных и транзисторных структурах, их характеристики и параметры.

Доказательный фрагмент

«В учебном пособии на примере арсенида галлия рассмотрены вопросы: физики, разработки и технологии структур с полупроводниковыми и металлополупроводниковыми переходами, физические процессы в эпитаксиальных диодных, фот…»

Образец извлечения

Демо-превью

В учебном пособии на примере арсенида галлия рассмотрены вопросы: физики, разработки и технологии структур с полупроводниковыми и металлополупроводниковыми переходами, физические процессы в эпитаксиальных диодных, фот… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники