Контроль электрофизических параметров эпитаксиальных структур на основе кремния и гетеросистемы ZnSe-GaAs

Цель работы состояла в теоретическом обосновании методики определения основных электрофизических параметров на косом шлифе эпитаксиальных структур зондовным методами и экспериментальном исследования, электрофизических… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.