К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2019

ОСОБЕННОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ ТВЕРДОГО РАСТВОРА (GAAS) 1-X-У (GE 2 ) X (ZNSE)

С.З. Зайнабидинов · Ш.Х. Йулчиев · А.Й.Бобоев · Х.А. Махмудов

Научные статьи · 2019

Аннотация

Суюқ фазали эпитаксия усули билан қалайли аралашма эритмадан GaAs тагликларига (GaAs) 1-x-у(Ge2) x (ZnSe) y қаттиқ қоришмасини ўстириш имконияти кўрсатилган. Компонентларнинг сирт бўйлаб текис тақсимланиши, юпқа парда қалинлиги бўйича эса Ge 2 ва ZnSe 0 £ х £ 0.17, 0 £ у £ 0.14. оралиқда ўзгариши аниқланган

Доказательный фрагмент

«Суюқ фазали эпитаксия усули билан қалайли аралашма эритмадан GaAs тагликларига (GaAs) 1-x-у(Ge2) x (ZnSe) y қаттиқ қоришмасини ўстириш имконияти кўрсатилган.»

Образец извлечения

Демо-превью

Суюқ фазали эпитаксия усули билан қалайли аралашма эритмадан GaAs тагликларига (GaAs) 1-x-у(Ge2) x (ZnSe) y қаттиқ қоришмасини ўстириш имконияти кўрсатилган. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники