К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2017

ВЛИЯНИЕ АТЕРМИЧЕСКИХ ОБРАБОТОК НА СВОЙСТВА ДИОДНЫХ СТРУКТУР CR-GAAS

К.А.Исмайлов · С.Е.Бекбергенов · Б.К.Исмайлов

Научные статьи · 2017

Аннотация

В работе исследованы влияние атермических лазерных и ультразвуковых обработок на фактор идеальности высоты барьера Шоттки, ток насыщения и напряжение пробоя поверхностно-барьерных и Шоттки диодов. Показано, что при лазерном облучении мощностью 10 3 Вт/см 2 и ультразвуковой обработке в режиме f уз = 30 Мгц и t = 3 часа улучшаются основные параметры диодных структур.

Доказательный фрагмент

«В работе исследованы влияние атермических лазерных и ультразвуковых обработок на фактор идеальности высоты барьера Шоттки, ток насыщения и напряжение пробоя поверхностно-барьерных и Шоттки диодов.»

Образец извлечения

Демо-превью

В работе исследованы влияние атермических лазерных и ультразвуковых обработок на фактор идеальности высоты барьера Шоттки, ток насыщения и напряжение пробоя поверхностно-барьерных и Шоттки диодов. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники