К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2015

СИНТЕЗ И ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТВЕРДОГО РАСТВОРА

С.З.Зайнабидинов · М.У.Каланов · А.Й.Бобоев · Д.П.Абдурахимов

Научные статьи · 2015

Аннотация

Суюқ фазали эпитаксия усули ёрдамида висмутли аралашма эритмасидан Ge тагликларга (Ge2) 1-x-y (ZnSe) x (GaAs) y қаттиқ қоришмаларини ўстириш мумкинлиги кўрсатилди. Бу юпқа пардаларда вольт-ампер тавсифининг 1 В гача бўлган тўғри йўналиши экспоненциал I = I 0 exp(qV/ckT) ва V > 1 В кучланишларда V ≈ V0 exp(Jad) субчизиқли боғланиш билан ифодаланди. ВАХнинг субчизиқли қисми инжексиявий камайиш назарияси билан изоҳланди.

Доказательный фрагмент

«Суюқ фазали эпитаксия усули ёрдамида висмутли аралашма эритмасидан Ge тагликларга (Ge2) 1-x-y (ZnSe) x (GaAs) y қаттиқ қоришмаларини ўстириш мумкинлиги кўрсатилди.»

Образец извлечения

Демо-превью

Суюқ фазали эпитаксия усули ёрдамида висмутли аралашма эритмасидан Ge тагликларга (Ge2) 1-x-y (ZnSe) x (GaAs) y қаттиқ қоришмаларини ўстириш мумкинлиги кўрсатилди. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники