Теоретическое объяснение эффекта уменьшения энергии плазмонов Si(111) при имплантации ионов с большой дозой

Аннотация

В работе приводится теоретическое объяснение экспериментально обнаруженного эффекта уменьшения энергии возбуждения поверхностных и объемных плазменных колебаний валентных электронов кремния Si(111) при имплантации ионов Ва и щелочных элементов с большой дозой D >> 1016 см–2. Наблюдаемый эффект уменьшения энергии плазмонов Si(111) объясняется на основе двухжидкостной модели электронного газа сильным затуханием колебаний валентных электронов вследствие разупорядочения кристаллической структуры Si(111) вплоть до полной аморфизации