Особенности технологии жидкофазной эпитаксии твердых растворов (GaAs) 1-x-y (Ge 2 ) x (ZnSe) y из ограниченного объема раствора-расплава

Аннотация

Кинетика роста эпитаксиального слоя на основе системы GaAs/Ge/ZnSe и GaAs/Si/ZnSe сопровождается интенсивным замещением арсенид-галлиевых узлов кристаллической решетки (Ga-As) молекулой Ge-Ge и Zn-Se а содержание GaAs в этом подслое составляет меньше 60-70 ат.%. С ростом эпитаксиального слоя молярное содержание Ge и ZnSe растет, достигая на поверхности пленки до 10-20 моль % ZnSe, а Ge 15-25 моль %. В результате образуется подслой твердого раствора (GaAs) 1-x (Ge 2 ) x . Поверхностный слой твердого раствора в большей степени определяется параметрами кристаллической решетки присущей GaAs. При соответствующих термодинамических условиях технологического режима можно добиться плавного перехода от арсенида галлиевого подслоя к селениду цинку с помощью переходного буферного слоя твердого раствора (GaAs) 1-x-y (Ge 2 ) x (ZnSe) y . Такой переходной слой, сглаживая параметры решетки и коэффициентов термического расширения GaAs, Ge и ZnSe предотвращает появления нежелательного упругое напряжения в переходной области подложка–эпитаксиальная пленка.