«Влияние содержания германия и поверхностных состояний на свойства переходов металл - Si.xGex, на основе Al, Au. Ni и Ti»

Аннотация

Актуальность работы. Как известно, на основе переходов металл - полу­проводник (МП) и металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) создаются современ­ные микросхемы и электронные компоненты. В таких МП и МДП структурах, со­стояние поверхности полупроводника, его однородность и фазовый состав играют определяющую роль в формировании контактов. Цель исследования. Основной целью настоящей работы является исследование свойств контактов металл-Si1.xGex в зависимости от типа металлов, с учетом содержания германия и поверхностных состояний в объемных твердых растворах Si1.xGex. Методы исследований. В диссертационной работе использованы следую­щие методы исследования: для выращивания кристаллов была использована уста­новка электронно-лучевой бестигельной зонной плавки, рентгеновский микроана­лиз, метод модуляции проводимости, методы измерения вольтамперных, вольтемко­стных и спектральных характеристик, стандартные электрофизические и фотоэлек­трические методы, такие как: однозондовый и четырёхзондовый методы, метод Ван- Дер Пау, Холл эффект и др. Гипотеза исследования. Высота барьера, определяется работой выхода, сродством к электрону и другими характеристиками материалов, а также поверхно­стными состояниями. Поверхностные состояния, в свою очередь, зависят не только от характера химической обработки поверхности, но и от взаимодействия атомов металла с полупроводником, которое существенно зависит от содержания германия в сплаве. Таким образом, сочетая химическую обработку и управление составом Si1-xGex монокристалла, можно в широких пределах управлять высотой потенциального барьера контакта металл-полупроводник.