Компьютерное моделирование процессов рассеяния ионов и кластерного распыления поверхностей монокристалов GaP и льда при бомбардировке ионами Ne+ И Ar+

Аннотация

Актуальность работы. Одна из тенденций развития современных технологий состоит в возрастании роли поверхности и приповерхностных областей твердых тел. Это связано с тем, что зачастую такие области определяют физико-химические свойства материалов, представляющих наибольший интерес для микроэлектроники или материаловедения. Поэтому не случайно, что многие технологии например, ионная имплантаций, обработка поверхности импульсными электронными пучками и лазерами, приводят к модификации именно этих областей обрабатываемого материала. Такие области можно специально создавать посредством нанесения тонких слоев с помощью самых разных источников. Степень изученности проблемы. К настоящему времени имеется достаточно много экспериментальных данных по рассеянию ионов поверхностями однокомпонентных монокристаллов и распылению последних при ионной бомбардировке. Разработаны также и различные теории этих физических процессов. Цель работы: Установление методом компьютерного моделирования механизмов и закономерностей процессов малоуглового рассеяния ионов идеальными и дефектными поверхностями двухкомпонентных монокристаллов GaP и пленок льда и кластерного распыления плёнок льда, покрывающих поверхности Аи.