Исследование фотоэлектрических свойств полупроводников с тетраэдрической структурой

Аннотация

Актуальность темы. Полупроводники с анизотропной кристаллической структурой представляют собой перспективного материала для создания фото анализаторов и источников линейно-поляризованного излучения (ЛПИ). Существует большой класс полупроводниковых соединений с различными симметрией кристаллической решетки и химическим составом. Зависимость поляризационных свойств от указанных факторов представляет значительный интерес, так как выбор материалов и его параметров позволит изменять рабочий диапазон длин волн создаваемых. приборов поляризационной оптоэлектроники. одной из важных проблем при создании фотоанализаторов ЛПИ является вопрос управления их основными параметрами. Решение данной проблемы возможно, если известно зависимости поляризационной ФЧ от фундаментальных параметров монокристалла, условий легирования, конструкции фотоприемника и т.п. Кроме такого практического значения экспериментальные исследования поляризационной ФЧ анизотропных полупроводников представляют значительный научный интерес, поскольку в настоящее время не существует теории самого явления. Развитие же теории в свою очередь требует проведения большого числа экспериментальных исследований на самых разнообразных материалах.