К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2017

Элементы памяти на основе тонкопленочной гетеростуктуры P-CDTE-SIO2-SI-AL

Н.Алимов · К.Ботиров · С.Отажонов · М.Холдоров

Научные статьи · 2017

Аннотация

В гетероструктуре P-CdTe-SiO2-Si-Al легко реализуются необходимые условия для существования оптической спектральной памяти - наличие асимметричных микропотенциальных барьеров и глубоких ловушек. Время релаксации ‒ около 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную спектральную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их.

Доказательный фрагмент

«В гетероструктуре P-CdTe-SiO2-Si-Al легко реализуются необходимые условия для существования оптической спектральной памяти - наличие асимметричных микропотенциальных барьеров и глубоких ловушек.»

Образец извлечения

Демо-превью

В гетероструктуре P-CdTe-SiO2-Si-Al легко реализуются необходимые условия для существования оптической спектральной памяти - наличие асимметричных микропотенциальных барьеров и глубоких ловушек. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники