Исследование влияния всестороннего сжатия на свойства границы раздела полупроводник диэлектрик

Аннотация

Актуальность работы. Основу современной микроэлектроники составляют многослойные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. Составной частью большинства полупроводниковых приборов является чередующихся слоев полупроводник-диэлектрик. В таких приборах как полевые транзисторы, поверхностно барьерные варикапы, элементы памяти, приборы с зарядовой связью контакт полупроводник-диэлектрик является основной рабочей областью. В других полупроводниковых приборах контакт полупроводник-диэлектрик выполняет вспомогательные функции: разделительная изоляция, пассивация и защита поверхности полупроводника от внешних воздействий. Во всех случаях физические процессы, происходящие на границах раздела полупроводник-диэлектрик оказывают существенное влияние на рабочие характеристики полупроводниковых приборов.