К содержанию
РецензированоRU1991

Исследование влияния экстремальных воздействий на параметры структур металл-диэлектрик-полупроводник

Пак Тэ Хва

Диссертации и авторефераты · 1991

Аннотация

Структуры металл-диэлектрик -полупроводник /МДП/ являются базовым элементом большинства современных полупроводниковых приборов и микросхем. Рабочий диапазон многих полупроводниковых приборов и микросхем ограничивается диапазоном применения МЯО структур, что накладывает дополнительные требования к более глубокому изучению физических процессов, протекающих в МДП структурах при экстремальных внешних воздействиях.

Доказательный фрагмент

«Структуры металл-диэлектрик -полупроводник /МДП/ являются базовым элементом большинства современных полупроводниковых приборов и микросхем.»

Образец извлечения

Демо-превью

Структуры металл-диэлектрик -полупроводник /МДП/ являются базовым элементом большинства современных полупроводниковых приборов и микросхем. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники