Тор зонали Ge1_xSnx, (InSb)i_x(Sn2)x қаттиқ қоришмалари ва уларнинг фотоэлектрик хоссалари

Аннотация

Республикамизда қаттиқ қоришмаларнинг эпитаксиал қатламларини олиш технологиясига, шунингдек яримўтказгич материаллар ва улар асосидаги асбоблар структураларининг хусусиятларини комплекс ўрганиш борасида муайян натижаларга эришилмоқда. Бу борада турли хил ёт тагликларда тор зонали яримўтказгичли қаттиқ қоришмаларнинг монокристалл эпитаксиал қатламларини ўстириш ва улар асосида инфрақизил соҳада сезгирлиги юқори бўлган кўп қатламли структуралар олишга бўлган эхтиёж ортиб бормоқда. Ўзбекистон Республикасини янада ривожлантириш бўйича ҳаракатлар стратегиясида «... мутлақо янги турдаги маҳсулотлар ва технологияларни ишлаб чиқаришни ўзлаштириш, шу асосда махаллий товарларнинг ташқи ва ички бозорларда рақобатбардошлигини таъминлаш» вазифалари белгиланган. Мазкур йуўналишда микроэлектроника қурилмаларини ишлаб чиқариш учун зарур электрофизик хусусиятларга эга бўлган янги яримўтказгич материаллар - қаттиқ қоришмаларни яратиш муҳим илмий аҳамият касб этади.