К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2009

Эффекты аномально-больших фотонапряжений и фотоэлектретных состояний без внешнего поляризующего поля в пленках SiиC D Te

Набиев Гуламжан Абдукундузивич

Диссертации и авторефераты · 2009

Аннотация

Развитие полупроводниковой оптоэлектроники во многом связано исследованием полупроводниковых структур в виде тонких плёнок, в особенности тонкопленочных многоалементных приём ниш в излучений. К числу таких атементов относится и полу проюднию выепленки, генерирующие аномально-большие фотонапряжения (АФН) [1-10], величина которой, вопреки зонной теории, превышает значение ширины запрещенной зоны соответствующего полупроводника.

Доказательный фрагмент

«Развитие полупроводниковой оптоэлектроники во многом связано исследованием полупроводниковых структур в виде тонких плёнок, в особенности тонкопленочных многоалементных приём ниш в излучений.»

Образец извлечения

Демо-превью

Развитие полупроводниковой оптоэлектроники во многом связано исследованием полупроводниковых структур в виде тонких плёнок, в особенности тонкопленочных многоалементных приём ниш в излучений. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники