Полупроводниковые приборы на основе многослойной структуры

Аннотация

В монографии предложены физические модели полупровод­никовых приборов многослойной структуры транзисторов и тиристоров. На основе предложенных моделей рассмотрен меха­низм работы бездрейфовых, дрейфовых биполярных и полевых транзисторов. Разработанные физико-математические модели ста­тических характеристик транзисторов позволяют выполнять строгие аналитические расчеты с заданной точностью радио­электронных устройств на IBM PC. Монографию отличают методи­ческие достоинства, обширный иллюстративный материал, доста­точно доступный, но в то же время строгий уровень изложения. Монография предназначена для специалистов в области полупроводниковой радиоэлектроники, студентов и магистрантов соответствующих направлений информационно-коммуникацион­ных технологий.