Легирланган кремний асосидаги кўп қатламли яримўтказгичли тузилмалардаги физикавий жараёнлар

Аннотация

Бугунги кунда яримўтказгич материалшунослиги ва электрон асбобсозлик соҳасида жаҳон миқёсидаги илмий тадқиқотлар ғоят катта суръатлар билан ривожланмоқда.Бунинг сабаби, барчага аёнки, яримўтказгичли қурилмаларнинг микро ва наноэлектроникада жадал қўлланилиши уларнинг турлари ва функционал имкониятларини янада кенгайтиришга бўлган талабларнинг ортиши дейиш мумкин. Замонавий микроэлектрониканинг асосини ташкил этувчи кремний асосида тайёрланган металл-диэлектрик-яримўтказгич (МДЯ) тузилмалар, юпқа пардали кўп қатламли ва металл-оксид қатламларидан иборат гетеротузилмалари халқ хўжалигининг турли соҳаларида маиший асбоб- анжомлардан тортиб, ҳарбий техника, космонавтика, алоқа тизимлари ва бошқаларда асосий элементлар бўлиб қолмоқда. Бундай қурилмаларнинг сифати ва ишончлилигини кафолатловчи асосий физик жараёнлар – уларни ташкил қилувчи қатламлар чегерасида, улар сиртида мавжуд бўлган сиртий ҳолатлар табиати ва уларнинг ҳар хил ташқи таъсирлар туфайли ўзгаришлари эканлиги инкор этиб бўлмайдиган омилдир. Бундай ҳолатлар МДЯ- тузилмаларда яримўтказгич-диэлектрик, юпқа яримўтказгичларли кўп қатламли қурилмаларда асос Si ва уларни ташкил этган қатламлар орасидаги соҳаларда, кремний-металлооксид турдаги гетероўтишларда бўлиниш чегарасида зарядларнинг кўчиш жараёнларини ўрганиш муҳим вазифалардан биридир. Маьлумки, МДЯ-тузилмаларининг асосий хусусиятлари сиртий ҳолатлардан ташқари Si, диэлектрик қатламларининг ўз хоссаларига ҳам кўп жиҳатдан боғлиқ. SiО2 диэлектрик қатламни ҳосил қилиш технологиялари Si асоснинг ҳажмий хусусиятлари улардан алоҳида тайёрланган транзисторлар, интеграл схемалар ва бошқа микроэлектрон асбобларни ишлаш тамойилларига сезиларли таьсир этиши аниқланган.