Физические явления в арсенидгаллиевых структурах с микрослойным квазиизопериодическим переходом

Аннотация

В монографии рассматриваются сведения о поверхности и влиянии различных сред её свойства, металлургические и межзеренные, электронные и физические границы в полупроводниках, физико-технологические проблемы, влияние промежуточных слоев на свойства р-п-переходов; принципы и способы получения резкого и тонкого р-п -перехода, структуры с запирающим р-п-переходом, возможности улучшения температурных и фотоэлектрических свойств.