К содержанию
РецензированоRU2022

ОБРАЗОВАНИЕ ВНЕДРЕННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ Si(111) И SiОх ПРИ РАСПЫЛЕНИИ ИОНАМИ

Шаропов Уткиржон Баходирович

Научные статьи · 2022

Аннотация

Тўлиқ ток спектрометрия ва SRIM услуби ёрдамида кремний ва кремний оксид кристалини ионлар билан нурлантирилганда ҳосил бўлган киришма нуқсонлар ўрганилган. Сиртда оғир массали ионларга нисбатан кичик массали ионлар билан нурлатилганда кўпроқ киришма нуқсонларни ҳосил бўлиши кўрсатилган. Бунга оғир массали ионларнитг кристалл юзасидан ичкарига чуқурроқ кириб бориши сабаблиги кўрсатилган.

Доказательный фрагмент

«Тўлиқ ток спектрометрия ва SRIM услуби ёрдамида кремний ва кремний оксид кристалини ионлар билан нурлантирилганда ҳосил бўлган киришма нуқсонлар ўрганилган.»

Образец извлечения

Демо-превью

Тўлиқ ток спектрометрия ва SRIM услуби ёрдамида кремний ва кремний оксид кристалини ионлар билан нурлантирилганда ҳосил бўлган киришма нуқсонлар ўрганилган. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники