Кремнийли нурланиш қабул қилгичларнинг электрофизик характеристикаларига ультратовуш тўлқинларининг таъсири

Аннотация

Дунёда электрофизик параметрлари ташқи таъсирларга барқарор бўлган яримўтказгич материаллардан микроэлектроника саноатида кенг кўламда ва самарали фойдаланилмоқда. Ушбу йўналишда ультратовуш тўлқинларнинг яримўтказгич материалларга ёки улар асосида яратилган электрон асбоблар (диод, транзистор, микросхема ва бошқалар) га таъсири натижасида уларнинг ҳарорат ва радиацияга чидамлиги ҳамда барқарорлиги ортиши алоҳида ўринга эга. Яримўтказгич материалларнинг параметрларини акустик стимуляция қилиш усули янги физик ҳодисалар ва эффектларни аниқлашга имкон бериб, ушбу усулни қўлланиши электрон асбобсозликнинг ривожланишида муҳим амалий аҳамият касб этади.