Ўтишсиз наноўлчамли майдоний транзисторларнинг характеристикаларига технологик флуктуацияларнинг таъсирини моделлаштириш

Аннотация

Диссертация мавзусининг долзарблиги ва зарурияти. Жаҳонда фан, техника ва технологияларнинг, жумладан электрониканинг ривожланиши кундан кунга жадаллашиб бормоқда. Бу ўз навбатида электроникада қўлланиладиган элементларга қўйиладиган талабларни кучайишига олиб келмоқда. Улар ичида энг асосийлари қаторига уларнинг энергия тежамкорлик даражасини, тезчанлигини ва функционаллигини ошириш киради. Қўйилган талабларни амалга ошириш электрон қурилмаларни ташкил этувчи элементларни ўлчамларини наноўлчамларга етказиш билан тўғридан тўғри боғлиқдир. Ҳозирги вақтда электрон курилмаларнинг асосий элементлари қаторига изоляцияланган затворли металл-оксид-яримўтказгич (МОЯ) майдоний транзисторлар ҳам киради. МОЯ транзисторлар ўлчамларини наномасштабларга етказиб, улар асосидаги интеграл схемаларнинг интеграция даражасини ошириш ва энергия истъемолини камайтиришга эришиш мумкин. Шу сабабли наноўлчамли МОЯ тузилмалар ва улар асосидаги транзисторлар хоссаларини ўрганиш ҳозирги замон яримўтказгичлар физикасининг долзарб вазифаларидан ҳисобланади