К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU1971

Силовые кремниевые вентили

В. И. Преображенский · Е. Н. Зимин

Учебная литература · 1971

Аннотация

Действие всех современных полупроводниковых вентилей основано на явлении односторонней электропроводности электронно-дырочного перехода, возникающего в полупроводнике на границе раздела двух его слоев с различными типами проводимости—электронной (п) и дырочной (р), которые образуют так называемую р-н структуру.

Доказательный фрагмент

«Действие всех современных полупроводниковых вентилей основано на явлении односторонней электропроводности электронно-дырочного перехода, возникающего в полупроводнике на границе раздела двух его слоев с различными тип…»

Образец извлечения

Демо-превью

Действие всех современных полупроводниковых вентилей основано на явлении односторонней электропроводности электронно-дырочного перехода, возникающего в полупроводнике на границе раздела двух его слоев с различными тип… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники