К содержанию
РецензированоRU1973

Кремниевые планарные транзисторы

Я. А. Федотова

Учебная литература · 1973

Аннотация

Изложены основы планарной технологии и законы распределения примесей в транзисторах. Подчеркнуты особенности изготовления кремниевых планарных ВЧ и СВЧ транзисторов. Проведен анализ физических процессов, обусловливающих изменения параметров в зависимости от режима работы. Описаны особенности переходных процессов и методы повышения пробивных напряжений.

Доказательный фрагмент

«Изложены основы планарной технологии и законы распределения примесей в транзисторах.»

Образец извлечения

Демо-превью

Изложены основы планарной технологии и законы распределения примесей в транзисторах. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники

[2]ТехникаENРецензированоОткрытый доступ
RESEARCH RESULTS CLEANING GRAIN HARVEST COMBINE HARVESTER

ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙЭлмурод Сотволдиевич Умаров, Зиёдбек Шавкатович Халилов +12021

5