К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU1974

Полупроводниковые приборы с барьером шоттки

В.И. Стриха · Е.В. Бузанева · И.А. Радзиевский

Учебная литература · 1974

Аннотация

Рассматриваются физические основы работы диодов с барьером Шоттки. Особое внимание обращается на роль диэлектрического зазора и поверхностных состояний в контакте металл — полупроводник. Описываются технологические методы получения диод с заданными параметрами.

Доказательный фрагмент

«Рассматриваются физические основы работы диодов с барьером Шоттки.»

Образец извлечения

Демо-превью

Рассматриваются физические основы работы диодов с барьером Шоттки. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники