К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU1995

Инжекционные явления в полупроводниках с рекомбинационно-стимулированным перестройками примесных центров

Минбаева Максат Козубековна

Диссертации и авторефераты · 1995

Аннотация

Целью диссертационной работы является изучение диффузионного, дрейфового и диффузионно-дрейфового режимов токопрохождения в диодных структур, создаваемых на основе полупроводниковых материалов с рекомбинационно-стимулированным перестройками глубоких примесных центров (комплексов).

Доказательный фрагмент

«Целью диссертационной работы является изучение диффузионного, дрейфового и диффузионно-дрейфового режимов токопрохождения в диодных структур, создаваемых на основе полупроводниковых материалов с рекомбинационно-стимул…»

Образец извлечения

Демо-превью

Целью диссертационной работы является изучение диффузионного, дрейфового и диффузионно-дрейфового режимов токопрохождения в диодных структур, создаваемых на основе полупроводниковых материалов с рекомбинационно-стимул… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники