К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2011

Физические основы контактов металл GaFa (GaP, InP), сформированных чистыми металлами и аморфными пленками

А.Б.Камалов

Диссертации и авторефераты · 2011

Аннотация

Полупроводниковые структуры на основе являются основными модельными объектами для фундаментальных исследований в области физики полупроводников и широко используются для создания оптоэлектронных и микроволновых приборов. До настоящего времени остается проблемным получение структурно совершенных эпитаксиальных пленок соединений микроволновой электроники.

Доказательный фрагмент

«Полупроводниковые структуры на основе являются основными модельными объектами для фундаментальных исследований в области физики полупроводников и широко используются для создания оптоэлектронных и микроволновых приборов.»

Образец извлечения

Демо-превью

Полупроводниковые структуры на основе являются основными модельными объектами для фундаментальных исследований в области физики полупроводников и широко используются для создания оптоэлектронных и микроволновых приборов. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники