К содержанию
РецензированоRU1999

Электрические свойства пленок Ge HA GaAs сенсоры температуры на их основе

К.А.Даулетов

Диссертации и авторефераты · 1999

Аннотация

Современная полупроводниковая электроника немыслима без эпитаксиальных пленок и гетероструктур. Полупроводниковые гетероструктуры используются для создания целого ряда приборов таких, как гетеролазеры, фотоприёмники, различные дискретные СВЧ приборы и интегральные схемы. Большие перспективы, в настоящее время, связаны с получением и исследованием сверхрешеток и созданием на их основе приборов нового поколения.

Доказательный фрагмент

«Современная полупроводниковая электроника немыслима без эпитаксиальных пленок и гетероструктур.»

Образец извлечения

Демо-превью

Современная полупроводниковая электроника немыслима без эпитаксиальных пленок и гетероструктур. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники