К содержанию
РецензированоRU2019

Термик ва микротўлқинли ишловларни Tibx(ZrBx)-nSiC6H шоттки тўсиқли карбидкремний диодли структураларнинг электрофизик хоссаларига таъсири

Абдижалиев Султанбек Каллибекович

Диссертации и авторефераты · 2019

Аннотация

Тадқиқотнинг мақсади - тезлашган термик ишловлар (ТТИ) ва микротўлқин нурланишларни TiBx(ZrBx)–n-SiC6H Шоттки тўсиқли карбидкремний диод структураларининг электрик тавсифларига таъсирини тадқиқ этишдан иборат.

Доказательный фрагмент

«Тадқиқотнинг мақсади - тезлашган термик ишловлар (ТТИ) ва микротўлқин нурланишларни TiBx(ZrBx)–n-SiC6H Шоттки тўсиқли карбидкремний диод структураларининг электрик тавсифларига таъсирини тадқиқ этишдан иборат.»

Образец извлечения

Демо-превью

Тадқиқотнинг мақсади - тезлашган термик ишловлар (ТТИ) ва микротўлқин нурланишларни TiBx(ZrBx)–n-SiC6H Шоттки тўсиқли карбидкремний диод структураларининг электрик тавсифларига таъсирини тадқиқ этишдан иборат. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники