К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2001

Ўта юқори частотали электромагнит майдоннинг p-n ўтиш рекомбинация токларига таъсири

М.Ғ.Дадамирзаев

Диссертации и авторефераты · 2001

Аннотация

Ҳозирги замон микроэлектроникасининг ривожланиши натижасида яримўтказгич асбобларнинг ўлчамлари микроннинг улушлари даражасигача қисқариб бормоқда. Одатдаги иш шароитида бундай асбобларда кучли электр майдонлари юзага келади. Бунда электронларнинг қизиши ва бу қизишни фононларга узатилиши натижасида ишлаб турган яримўтказгич асбобини мувозанат ҳолатидан кучли четлашишига олиб келади.

Доказательный фрагмент

«Ҳозирги замон микроэлектроникасининг ривожланиши натижасида яримўтказгич асбобларнинг ўлчамлари микроннинг улушлари даражасигача қисқариб бормоқда.»

Образец извлечения

Демо-превью

Ҳозирги замон микроэлектроникасининг ривожланиши натижасида яримўтказгич асбобларнинг ўлчамлари микроннинг улушлари даражасигача қисқариб бормоқда. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники