К содержанию
РецензированоRU2019

Полупроводниковые приборы многослойной структуры: транзисторы и тиристоры

И.С. Андреев · Х. К. Арипов · А.М. Абдуллаев · Ж. Т. Махсудов · Ш.Б. Рахматов

Монографии · 2019

Аннотация

В монографии предложены физические модели полупроводниковых приборов многослойной структуры - транзисторов и тиристоров. На основе предложенных моделей рассмотрен механизм работы бездрейфовых, дрейфовых биполярных и полевых транзисторов. Разработанные физико- математические модели статических характеристик транзисторов позволяют выполнять строгие аналитические расчеты с заданной точностью радиоэлектронных устройств на IBM . PC. Монографию отличают методические достоинства, обширный иллюстративный • материал, достаточно доступный, но в тоже время строгий уровень изложения.

Доказательный фрагмент

«В монографии предложены физические модели полупроводниковых приборов многослойной структуры - транзисторов и тиристоров.»

Образец извлечения

Демо-превью

В монографии предложены физические модели полупроводниковых приборов многослойной структуры - транзисторов и тиристоров. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники