Медицина и инновацииМ Сабиров, О Скосырева +12021
Полупроводниковые приборы многослойной структуры: транзисторы и тиристоры
И.С. Андреев · Х. К. Арипов · А.М. Абдуллаев · Ж. Т. Махсудов · Ш.Б. Рахматов
Монографии · 2019
Аннотация
В монографии предложены физические модели полупроводниковых приборов многослойной структуры - транзисторов и тиристоров. На основе предложенных моделей рассмотрен механизм работы бездрейфовых, дрейфовых биполярных и полевых транзисторов. Разработанные физико- математические модели статических характеристик транзисторов позволяют выполнять строгие аналитические расчеты с заданной точностью радиоэлектронных устройств на IBM . PC. Монографию отличают методические достоинства, обширный иллюстративный • материал, достаточно доступный, но в тоже время строгий уровень изложения.
Доказательный фрагмент
«В монографии предложены физические модели полупроводниковых приборов многослойной структуры - транзисторов и тиристоров.»
Образец извлечения
Демо-превьюВ монографии предложены физические модели полупроводниковых приборов многослойной структуры - транзисторов и тиристоров. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.
Смежные источники
Научные статьиM.H.Sayidova, S.U.Pulatova2025
ЖУРНАЛ ПРАВОВЫХ ИССЛЕДОВАНИЙСуванов Сардор Бахадирович2026