К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2006

Гетероструктуры Si-Si1-xGex, Si-Si1-xGex-GaAs,Si-(Si2)1-x(GaAs)x,(0<x<1) полученные методом жидкофазной эпитаксии, их электрофизические и фотоэлектрические характеристики

Давлатов Уткир Тагаевич

Диссертации и авторефераты · 2006

Аннотация

Цель работы: электрофизические и фотоэлектрические характеристики Si-Si1-xGex, Si-Si1-xGex-GaAs,Si-(Si2)1-x(GaAs)x,(0<x<1) гетероструктур,полученных методом жидкофазной эпитаксии, с целью создания приборов, исследование возможности замены дорогостоящих ПфФы-подложек кремниевыми.

Доказательный фрагмент

«Цель работы: электрофизические и фотоэлектрические характеристики Si-Si1-xGex, Si-Si1-xGex-GaAs,Si-(Si2)1-x(GaAs)x,(0<x<1) гетероструктур,полученных методом жидкофазной эпитаксии, с целью создания приборов, исследова…»

Образец извлечения

Демо-превью

Цель работы: электрофизические и фотоэлектрические характеристики Si-Si1-xGex, Si-Si1-xGex-GaAs,Si-(Si2)1-x(GaAs)x,(0<x<1) гетероструктур,полученных методом жидкофазной эпитаксии, с целью создания приборов, исследова… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники