К содержанию
РецензированоRU2003

Электронно-спектроскопические исследования физических свойств эпитаксиальных комбинаций и ионно-имплантированных слоев в кремнии

Б.Э.Эгамбердиев

Диссертации и авторефераты · 2003

Аннотация

Одной из основных причин интенсификации исследовательских работ в области синтеза многослойных эпитаксиальных гетероструктур является перспектива создания на их основе новых приборов твердотельной электроники с уникальными параметрами: СВЧ-приборов, детекторов ИК, УФ- и рентгеновского излучения.

Доказательный фрагмент

«Одной из основных причин интенсификации исследовательских работ в области синтеза многослойных эпитаксиальных гетероструктур является перспектива создания на их основе новых приборов твердотельной электроники с уникал…»

Образец извлечения

Демо-превью

Одной из основных причин интенсификации исследовательских работ в области синтеза многослойных эпитаксиальных гетероструктур является перспектива создания на их основе новых приборов твердотельной электроники с уникал… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники