К содержанию
РецензированоRU2017

Ион бомбардимон усули билан M0 ва Si сиртида ва сирт ости соҳаларида ҳосил қилинган наноўлчамли тузилмаларнинг шаклланиш қонуниятлари ва электрон хусусиятлари

Эргашов Ёқуб Сувонович

Диссертации и авторефераты · 2017

Аннотация

Тадқиқотнинг мақсади эпитакция ва ион имплантация усуллари билан Мо ва Si монокристаллари асосида наноўлчамли тузилмалар ва кўп қатламли тизимлар олиш, уларнинг шаклланиш қонунларини ўрганиш, физик механизмларини очиб беришдан иборат.

Доказательный фрагмент

«Тадқиқотнинг мақсади эпитакция ва ион имплантация усуллари билан Мо ва Si монокристаллари асосида наноўлчамли тузилмалар ва кўп қатламли тизимлар олиш, уларнинг шаклланиш қонунларини ўрганиш, физик механизмларини очиб…»

Образец извлечения

Демо-превью

Тадқиқотнинг мақсади эпитакция ва ион имплантация усуллари билан Мо ва Si монокристаллари асосида наноўлчамли тузилмалар ва кўп қатламли тизимлар олиш, уларнинг шаклланиш қонунларини ўрганиш, физик механизмларини очиб… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники

[1]ФизикаUZРецензированоОткрытый доступ
Kvant siatistik fizika.

Учебная литератураA. Boydedaev, P. Habibullaev2007

4