Учебная литератураA. Boydedaev, P. Habibullaev2007
Ион бомбардимон усули билан M0 ва Si сиртида ва сирт ости соҳаларида ҳосил қилинган наноўлчамли тузилмаларнинг шаклланиш қонуниятлари ва электрон хусусиятлари
Эргашов Ёқуб Сувонович
Диссертации и авторефераты · 2017
Аннотация
Тадқиқотнинг мақсади эпитакция ва ион имплантация усуллари билан Мо ва Si монокристаллари асосида наноўлчамли тузилмалар ва кўп қатламли тизимлар олиш, уларнинг шаклланиш қонунларини ўрганиш, физик механизмларини очиб беришдан иборат.
Доказательный фрагмент
«Тадқиқотнинг мақсади эпитакция ва ион имплантация усуллари билан Мо ва Si монокристаллари асосида наноўлчамли тузилмалар ва кўп қатламли тизимлар олиш, уларнинг шаклланиш қонунларини ўрганиш, физик механизмларини очиб…»
Образец извлечения
Демо-превьюТадқиқотнинг мақсади эпитакция ва ион имплантация усуллари билан Мо ва Si монокристаллари асосида наноўлчамли тузилмалар ва кўп қатламли тизимлар олиш, уларнинг шаклланиш қонунларини ўрганиш, физик механизмларини очиб… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.
Смежные источники
Медицина и инновацииМ Сабиров, О Скосырева +12021
Научные статьиM.H.Sayidova, S.U.Pulatova2025