К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2017

Кичик энергияли ионлар билан имплантация қилинган бинар материаллар ( Pd-Ba, CoSi2 ва GaAs) сиртининг электрон спектроскопияси ва микроскопияси

Донаев Сардор Бурханович

Диссертации и авторефераты · 2017

Аннотация

Тадқиқотнинг мақсади Pd-B a, CoSi2 ва GaAs юза қатламлариининг кичик энергияли ионлар имплантацияси ва кейинги термик ва лазерли ишлов беришда модификацияланган механизмларнинг ҳамда наноўлчамли тузилмалар ҳосил бўлишининг ўзига хос хусусиятларини комплекс ўрганишдан иборат.

Доказательный фрагмент

«Тадқиқотнинг мақсади Pd-B a, CoSi2 ва GaAs юза қатламлариининг кичик энергияли ионлар имплантацияси ва кейинги термик ва лазерли ишлов беришда модификацияланган механизмларнинг ҳамда наноўлчамли тузилмалар ҳосил бўлиш…»

Образец извлечения

Демо-превью

Тадқиқотнинг мақсади Pd-B a, CoSi2 ва GaAs юза қатламлариининг кичик энергияли ионлар имплантацияси ва кейинги термик ва лазерли ишлов беришда модификацияланган механизмларнинг ҳамда наноўлчамли тузилмалар ҳосил бўлиш… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники