К содержанию
РецензированоRU2019

n-(GaAs)-p-(GaAs)l-x-y(Ge)x(ZnSe)y гетеротузилмасининг тузилмавий хусусиятлари, электрофизик хоссалари

Бобоев Акрамжон Йўлдашбоевич

Диссертации и авторефераты · 2019

Аннотация

Тадқиқотнинг мақсади. Гетеротузилмасининг тузилмавий хусусиятларини, электрофизик ва фотоэлектрик хоссаларини тадқиқ қилиш.

Доказательный фрагмент

«Тадқиқотнинг мақсади. Гетеротузилмасининг тузилмавий хусусиятларини, электрофизик ва фотоэлектрик хоссаларини тадқиқ қилиш.»

Образец извлечения

Демо-превью

Тадқиқотнинг мақсади. Гетеротузилмасининг тузилмавий хусусиятларини, электрофизик ва фотоэлектрик хоссаларини тадқиқ қилиш. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники