РецензированоRU2004

Нестационарная спектроскопия глубоких уровней сложных p-n-структурах

М.В.Гафурова

Диссертации и авторефераты · 2004

Аннотация

Известно, что глубокие центры и различные дефекты, создающие в запрещенной зоне полупроводников глубокие энергетические уровни, играют весьма существенную практически во всех физических процессах, протекающих как в самом материале полупроводника, так и в различных полупроводниковых структурах, создаваемых на его основе.

Доказательный фрагмент

«Известно, что глубокие центры и различные дефекты, создающие в запрещенной зоне полупроводников глубокие энергетические уровни, играют весьма существенную практически во всех физических процессах, протекающих как в са…»

Образец извлечения

Демо-превью

Известно, что глубокие центры и различные дефекты, создающие в запрещенной зоне полупроводников глубокие энергетические уровни, играют весьма существенную практически во всех физических процессах, протекающих как в са… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан