Особенности воздействия микроволнового и лазерного излучения на арсенидгаллиевых приборные структуры с барьером шоттки

Аннотация

К настоящему времени накопилось большое количество экспериментального материала, относящегося к исследованию свойств арсенида галлия и приборов с барьером Шоттки на его основе. Однако, несмотря на изученность, как материала, так и поверхностно-барьерных структур (ПБС) с барьером Шоттки , долговечность и надежность арсенидгаллиевой элементной базы до сих пор остается предметом исследования как разработчиков GaAs приборов с барьером Шоттки, так и физиков-экспериментаторов