Исследование образование поверхностных точечных дефектов в тонких пленках ЩГК на монокристалле Si при облучении медленными электронами

По мере уменьшения размеров электронных приборов и перехода к тонкопленочной и микроэлектронной технологии первостепенное значение приобретают свойства поверхностей и границ раздела материалов, как правило, отличающие… Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.