К содержанию
CiteXCiteX — научный поиск с источниками
РецензированоRU2012

Исследование влияния всестороннего сжатия на свойства границы раздела полупроводник-диэлектрик

М.А.Эргашева

Диссертации и авторефераты · 2012

Аннотация

Основу современной микроэлектроники составляют многослойные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. Составной частью большинства полупроводниковых приборов является комбинация чередующихся слоев полупроводник-диэлектрик. Во всех случаях физические процессы, происходящие на границах раздела полупроводник -диэлектрик оказывают существенное влияние на рабочие характеристики полупроводниковых приборов.

Доказательный фрагмент

«Основу современной микроэлектроники составляют многослойные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы.»

Образец извлечения

Демо-превью

Основу современной микроэлектроники составляют многослойные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы. Полный текст публикации CiteX не хранит — доступ к первоисточнику открывается по DOI согласно лицензии издателя и выбранному плану.

DOI не указан
Цитирований
0
Просмотров
0
Тип
Журнал
Страна
Узбекистан
Спросить CiteX об этой работе

Смежные источники